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2025-07-06 23:22:48
而目前的研究论文也越来越多地集中在纳米材料的研究上，大决并使用球差TEM等超高分辨率的电镜来表征纳米级尺寸的材料，大决通过高分辨率的电镜辅以EDX,EELS等元素分析的插件来分析测试，以此获得清晰的图像和数据并做分析处理。
这种方法需要苛刻的处理条件，战电并且很难得到具有晶体长程有序的插层相。LohKianPing教授领导研究团队取得了丰硕的成果，影绝样其中包括研发了大尺寸石墨烯的仿生生长与转移技术，大尺寸石墨烯的商业化应用。
金刚c）MBE在2英寸SiO2/Si晶圆片上生长的单层TaS2和双层Ta7S12的照片。揭示了二维TMD材料层间声子的色散规律及其在材料形态表征上的应用，拍法发展了界面与声子耦合的理论模型和DFT计算方法。这项工作的意义在于使双层（或更厚的）2D材料可以转化为超薄、大决共价键结合的准2D材料，大决通过改变自插层原子的浓度，可以在很大的范围内调控其化学计量与物理特性。
这种自插层的TMD化合物可以在高金属原子化学势的生长条件下，战电以局部能量最小值存在插层相图中。罗鑫教授，影绝样中山大学物理学院教授，影绝样2011年于中山大学获博士学位，2011年至2013年在新加坡高性能计算研究院担任scientist,2013年至2017年在新加坡国立大学先进二维材料研究中心任研究员，2017年至2018年在香港理工大学担任独立PI助理教授（研究），随后就职于中山大学任正教授
金刚c）MBE在2英寸SiO2/Si晶圆片上生长的单层TaS2和双层Ta7S12的照片。
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